- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录230133 > NAND08GR4B2AZC1T (STMICROELECTRONICS) 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND08GR4B2AZC1T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63 |
| 文件页数： | 2/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND08GR4B2AZC1T |
第1页当前第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
10/59
Figure 4. TSOP48 and USOP48 Connections,
x8 devices
Figure 5. TSOP48 and USOP48 Connections,
x16 devices
I/O3
I/O2
I/O6
R
RB
NC
I/O4
I/O7
AI09374
NAND Flash
(x8)
12
1
13
24
25
36
37
48
E
I/O1
NC
WP
W
NC
VSS
VDD
AL
NC
CL
NC
I/O5
NC
I/O0
NC
PRL
VDD
NC
VSS
NC
I/O3
I/O9
I/O2
I/O6
R
RB
NC
I/O14
I/O12
I/O10
I/O4
I/O7
AI09375
NAND Flash
(x16)
12
1
13
24
25
36
37
48
I/O8
E
I/O1
I/O11
NC
WP
W
NC
VSS
VDD
AL
NC
CL
NC
I/O13
I/O15
I/O5
VSS
NC
VSS
I/O0
NC
PRL
NC
VDD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3B3CZA1E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NM24W03ULEN | 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| NAND128R3A0CV1F | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| N34120Z1EBC1S | 3 PHASE, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| N3420B1FB1S | SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
| NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。