型号: | NAND08GR4B2AZC1T |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | PROM |
英文描述: | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
封装: | 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63 |
文件页数: | 25/59页 |
文件大小: | 998K |
代理商: | NAND08GR4B2AZC1T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NAND512R3B3CZA1E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
NM24W03ULEN | 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8 |
NAND128R3A0CV1F | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
N34120Z1EBC1S | 3 PHASE, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
N3420B1FB1S | SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |