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参数资料
| 型号： | NAND08GR4B2AZC1T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63 |
| 文件页数： | 40/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND08GR4B2AZC1T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 25. Command Latch AC Waveforms
Figure 26. Address Latch AC Waveforms
Note: A fifth address cycle is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices.
ai08028
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWL
tELWL
tWHCLL
tWHEH
tWLWH
tALLWL
tWHALH
Command
tDVWH
tWHDX
(CL Setup time)
(CL Hold time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(AL Hold time)
(E Setup time)
(E Hold time)
ai08029
CL
E
W
AL
I/O
tWLWH
tELWL
tWLWL
tCLLWL
tWHWL
tALHWL
tDVWH
tWLWL
tWLWH
tWHWL
tWHDX
tWHALL
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tWHALL
Adrress
cycle 1
tWHALL
(AL Setup time)
(AL Hold time)
Adrress
cycle 4
Adrress
cycle 3
Adrress
cycle 2
(CL Setup time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(E Setup time)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3B3CZA1E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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