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参数资料
| 型号： | NAND08GR4B2AZC1T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63 |
| 文件页数： | 24/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND08GR4B2AZC1T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
30/59
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes three steps are re-
quired:
1.
one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h)
2.
one Bus Write cycle to input the address (00h)
3.
four Bus Read Cycles to sequentially output
the data (as shown in Table 14., Electronic
Table 14. Electronic Signature
Part Number
Byte/Word 1
Byte/Word 2
Byte/Word 3
Byte/Word 4
Manufacturer Code
Device code
NAND512R3B
20h
A2h
Reserved
00h
Page Size
Spare Area size
Sequential Access Time
Block Size
Organization
(seeTable 15.)
NAND512W3B
F2h
NAND512R4B
0020h
B2h
NAND512W4B
C2h
NAND01GR3B
20h
A1h
NAND01GW3B
F1h
NAND01GR4B
0020h
B1h
NAND01GW4B
C1h
NAND02GR3B
20h
AAh
NAND02GW3B
DAh
NAND02GR4B
0020h
BAh
NAND02GW4B
CAh
NAND04GR3B
20h
ACh
NAND04GW3B
DCh
NAND04GR4B
0020h
BCh
NAND04GW4B
CCh
NAND08GR3B
20h
A3h
NAND08GW3B
D3h
NAND08GR4B
0020h
B3h
NAND08GW4B
C3h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3B3CZA1E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NM24W03ULEN | 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| NAND128R3A0CV1F | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| N34120Z1EBC1S | 3 PHASE, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| N3420B1FB1S | SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
| NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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