- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189002 > NAND08GR4B2BZC6T (STMICROELECTRONICS) 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND08GR4B2BZC6T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63 |
| 文件页数： | 26/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND08GR4B2BZC6T |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
32/59
Automatic Page 0 Read at Power-Up
The 3V devices (NANDxxxWxB) feature Automat-
ic Page 0 Read at Power-Up, which allows the mi-
crocontroller to directly download boot code from
page 0, without requiring any command or ad-
dress input sequence. The Automatic Page 0
Read feature is particularly suited for applications
that boot from the NAND.
The 1.8V devices (NANDxxxRxB) do not have the
Automatic Page 0 Read at Power-Up feature.
Automatic Page 0 Read Description. At power-
up, once the supply voltage has reached the
threshold level, VDDth, all digital outputs revert to
their reset state and the internal NAND device
functions (reading, writing, erasing) are enabled.
The PRL pin activates the Automatic Page 0 Read
function. When PRL is High at power-up, the de-
vice automatically switches to read mode where,
as in any read operation, the device is busy for a
time tBLBH1 during which data is transferred to the
Page Buffer. Once the data transfer is complete
the Ready/Busy signal goes High. The data can
then be read out sequentially on the I/O bus by
pulsing the Read Enable, R, signal.
Figure 18. shows the power-up waveforms for de-
vices featuring the Automatic Page Read option.
For details on how to order this option, refer to Ta-
Figure 18. Automatic Page 0 Read at Power-Up
Note: 1. VDDth is equal to 2.5V for 3V Power Supply devices and to 1.5V for 1.8V Power Supply devices.
VDD
W
E
AL
CL
RB
R
I/O
tBLBH1
Data1
Data2
Data3
Last
Data
Busy
Data Output
VDDth (1)
ai08665
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GR4B3BN1 | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512R3B3BZA6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3B3BN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BZA6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3B3AN1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
| NAND08GW3B2CN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND08GW3B2CN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。