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参数资料
| 型号： | NCV1124DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SENSOR DUAL VAR-RELUCT 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 可变磁阻 |
| 输入类型： | 逻辑 |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 接口： | 双，串联或并联 |
| 电流 - 电源： | 5mA |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV1124DR2G-ND NCV1124DR2GOSTR |
NCV1124
http://onsemi.com
3
PACKAGE PIN DESCRIPTION
PIN #
SO8
PIN SYMBOL
FUNCTION
1
INAdj
External resistor to ground that sets the trip levels of both channels. Functions for both diagnostic
and normal mode
2
IN1
Input to channel 1
3
IN2
Input to channel 2
4
GND
Ground
5
DIAG
Diagnostic mode switch. Normal mode is low
6
OUT2
Output of channel 2
7
OUT1
Output of channel 1
8
VCC
Positive 5.0 volt supply input
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
NCV1124DG
SO8 NB
(PbFree)
98 Units / Rail
NCV1124DR2G
SO8 NB
(PbFree)
2500 Units / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
OUT1
To
mP
VCC
INP1
INAdj
DIAG
IN1
C1
R1
RRS
VRS Variable
Reluctance
Sensor
+
COMP1
Active
Clamp
RAdj
GND
Figure 2. Application Diagram
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NCV1413BDR2G | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| NCV1413BDR2G/H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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