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参数资料
| 型号： | NCV1124DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SENSOR DUAL VAR-RELUCT 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 可变磁阻 |
| 输入类型： | 逻辑 |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 接口： | 双，串联或并联 |
| 电流 - 电源： | 5mA |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCV1124DR2G-ND NCV1124DR2GOSTR |
NCV1124
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
SO8 NB
CASE 75107
ISSUE AG
SEATING
PLANE
1
4
5
8
N
J
X 45
_
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. 75101 THRU 75106 ARE OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 75107.
A
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
4.80
5.00
0.189
0.197
MILLIMETERS
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.053
0.069
D
0.33
0.51
0.013
0.020
G
1.27 BSC
0.050 BSC
H
0.10
0.25
0.004
0.010
J
0.19
0.25
0.007
0.010
K
0.40
1.27
0.016
0.050
M
0
8
0
8
N
0.25
0.50
0.010
0.020
S
5.80
6.20
0.228
0.244
X
Y
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
Z
Y
M
0.25 (0.010)
Z
S
X S
M
____
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
1.270
0.050
4.0
0.155
mm
inches
SCALE 6:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
PACKAGE THERMAL DATA
Parameter
SO8NB
Unit
RqJC
Typical
45
°C/W
RqJA
Typical
165
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS27508E24B1PB | CONN RCPT 128POS BOX MNT W/PINS |
| D38999/26WJ4PN | CONN PLUG 56POS STRAIGHT W/PINS |
| D38999/20JJ61HN | CONN RCPT 61POS WALL MNT W/PINS |
| VE-JNZ-IW-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W |
| D38999/20WH21SN | CONN RCPT 21POS WALL MNT W/SCKT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV1406SNT1G | 功能描述:直流/直流开关转换器 STEP-UP DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大输入电压:4.5 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:4.6 V 输出电流:250 mA 输出端数量:2 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT |
| NCV1413B | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays |
| NCV1413BDR2 | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| NCV1413BDR2G | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| NCV1413BDR2G/H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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