参数资料
| 型号： | NCV8402ADDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LOW SIDE 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SMARTDISCRETES™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 165 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 2A |
| 电流 - 峰值输出： | 4.8A |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCV8402DDR2GOSDKR NCV8402DDR2GOSDKR-ND |
NCV8402D, NCV8402AD
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.2
1.1
1.1
1
0.9
0.8
0.7
I D = 150 m A
V GS = V DS
1
0.9
0.8
0.7
0.6
? 40 ° C
25 ° C
100 ° C
150 ° C
0.6
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.5
1
2
3
4
5
6
7
V GS = 0 V
8 9
10
200
T ( ° C)
Figure 14. Normalized Threshold Voltage vs.
Temperature
1
I S (A)
Figure 15. Source ? Drain Diode Forward
Characteristics
150
I D = 2.5 A
V DD = 12 V
R G = 0 W
0.8
0.6
I D = 2.5 A
V DD = 12 V
R G = 0 W
? dV DS /d t(on)
100
50
t f
t d(on)
t d(off)
t r
0.4
0.2
dV DS /d t(off)
0
3
4 5 6 7 8 9
V GS (V)
Figure 16. Resistive Load Switching Time vs.
Gate ? Source Voltage
10
0
3
4 5 6 7 8 9
V GS (V)
Figure 17. Resistive Load Switching
Drain ? Source Voltage Slope vs. Gate ? Source
10
Voltage
100
1
75
I D = 2.5 A
V DD = 12 V
t r , (V GS = 5 V)
t d(off) , (V GS = 10 V)
0.8
? dV DS /d t(on) , V GS = 10 V
0.6
50
t f , (V GS = 10 V)
t f , (V GS = 5 V)
t d(off) , (V GS = 5 V)
0.4
dV DS /d t(off) , V GS = 5 V
dV DS /d t(off) , V GS = 10 V
25
0
0
400
t r , (V GS = 10 V)
t d(on) , (V GS = 5 V)
t d(on) , (V GS = 10 V)
800 1200 1600 2000
0.2
0
0
? dV DS /d t(on) , V GS = 5 V
500 1000
I D = 2.5 A
V DD = 12 V
1500 2000
R G ( W )
Figure 18. Resistive Load Switching Time vs.
Gate Resistance
http://onsemi.com
6
R G ( W )
Figure 19. Drain ? Source Voltage Slope during
Turn On and Turn Off vs. Gate Resistance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCV8402ASTT1G | IC DVR LO SIDE 42V 2.0A SOT223-4 |
| NCV8402STT1G | IC DVR LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8403ASTT1G | IC DVR LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8403STT1G | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
| NCV8405ASTT1G | IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8402ASTT1G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402ASTT3G | 功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Self-Protected Low-Side Driver with Temperature and Current Limit |
| NCV8402DDR2G | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 2.0 A 42V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8402STT1G | 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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