参数资料
| 型号： | NCV8612BMNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 19/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 5V/3.3V/ADJ 20DFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式和可调式 |
| 输出电压： | 5V，3.3V，可调式 |
| 输入电压： | 7 V ~ 18 V |
| 稳压器数量： | 3 |
| 电流 - 输出： | 120mA，80mA，400mA |
| 电流 - 限制（最小）： | 180mA，120mA，500mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-QFN（6x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8612B
22.5
3.5
22
21.5
21
20.5
20
19.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
T = 25 ° C
I OUT3 = 400 mA
19
1
10
100
1000
10000
100000 1000000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ASO ? RAIL VOLTAGE RAMP (V/s)
Figure 18. HV ? DET Threshold vs. dV/dt
V OUT3 , OUTPUT VOLTAGE (V)
Figure 19. LDO3 Dropout Voltage vs. Output
Voltage
170
150
130
110
90
70
50
1 ? oz Cu single layer PCB
2 ? oz Cu single layer PCB
30
0
100
200
300
400
500
600
700
PCB COPPER AREA
(mm 2 )
Figure 20. R q JA vs. Copper Area
1000
100
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
1
0.01
2 ? oz Cu single layer PCB, 100 mm 2
0.1
Single Pulse
0.01
TSP
0.001
1E ? 06
1E ? 05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 21. R q JA vs. Duty Cycle
http://onsemi.com
19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8612MNR2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO MULTIPLE OUTPUT LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV8613 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Ultra-Low Iq Automotive System Power Supply IC Power Saving Triple-Output Linear Regulator |
| NCV8613B | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Ultra-Low Iq Automotive System Power Supply IC Power Saving Triple-Output Linear Regulator |
| NCV8613BMNR2G | 功能描述:线性稳压器 - 标准 ANA MULTIPLE OUTPUT LDO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L |
| NCV8613MNR2G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Ultra-Low Iq Automotive System Power Supply IC Power Saving Triple-Output Linear Regulator |
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