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参数资料
| 型号： | NCV8871SEPGEVB |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL NCV8871SEP BOOST CTLR |
| 设计资源： | NCV8871SEPGEVB Schematic NCV8871SEPGEVB Gerber File NCV8871SEPGEVB Bill Of Materials |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 12V |
| 电流 - 输出： | 2A |
| 输入电压： | 6 V ~ 40 V |
| 稳压器拓扑结构： | 升压 |
| 频率 - 开关： | 170kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | NCV8871 |
| 其它名称： | NCV8871SEPGEVBOS |
NCV8871
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
1.205
7
1.203
1.201
1.199
1.197
6
5
4
3
2
1
T J = 25 ° C
1.195
? 40
10
60
110
160
0
0
1
2 3 4
5
6
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 8. Reference Voltage vs. Temperature
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
V enable , VOLTAGE (V)
Figure 9. Enable Pulldown Current vs. Voltage
5.0
? 40
10
60
110
160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. Enable Pulldown Current vs.
Temperature
http://onsemi.com
8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29SM-K711-00V | MOTOR STEP UNI 71MM DIA 24V |
| K2402GRP | SIDAC 240V DO15 |
| AISM-1812-271K-T | INDUCTOR CHIP 270UH 92MA SMD |
| F911V106MNC | CAP TANT 10UF 35V 20% 2917 |
| SS16-E3/11T | DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV887200D1R2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC REG CTRLR BST PWM CM |
| NCV8873 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Automotive Grade Non-Synchronous Boost Controller |
| NCV887300D1R2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO Auto Grade Non-Sync Boost Controller RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV8873LEDBSTGEVB | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCV8873 EVAL BD - Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BOARD EVAL FOR NCV8873LEDBST |
| NCV8876 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Automotive Grade Start-Stop Non-Synchronous Boost Controller |
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