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参数资料
| 型号： | NDB7060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NDB7060TR |
Electrical Characteristics
(T C = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I S
I SM
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
75
225
A
A
V SD
Drain-Source Diode Forward Voltage
V GS = 0 V, I S = 37.5 A ( Note 1)
0.9
1.3
V
T J = 125°C
0.84
1.2
t rr
I rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Current
V GS = 0 V, I F = 75 A, dI F /dt = 100 A/μs
40
2
76
4.7
150
10
ns
A
THERMAL CHARACTERISTICS
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1
62.5
° C/W
° C/W
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDP7060.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDC7001C | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
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| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
| NDD03N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
| NDD04N50Z-1G | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB7060L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NDB7061 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB7061L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB708A | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB708AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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