- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDB7060 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDB7060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NDB7060TR |
Typical Electrical Characteristics
120
2.5
100
V GS =20V
1 0 8.0
7.0
6.5
2
V GS = 5.0V
5.5
6.0
80
6.0
6.5
60
40
5.5
1.5
7.0
8.0
5.0
1
10
12
20
4.5
4.0
20
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
20
40
60
80
100
120
2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
1.8
1.8
I D = 40A
V GS = 10V
1.6
V GS = 10V
T J = 125°C
1.6
1.4
1.2
1
1.4
1.2
25°C
1
0.8
0.6
0.8
-55°C
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0
20
40
60
80
100
120
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
1.2
50
V DS = 10V
T = -55°C
J
1.1
1
V DS = V GS
I D = 250μA
40
25°C
125°C
0.9
30
0.8
20
10
0.7
0.6
0
2
3
4
5
6
7
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
NDP7060.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDC7001C | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
| NDC7002N_SB9G007 | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT |
| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
| NDD03N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
| NDD04N50Z-1G | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB7060L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NDB7061 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB7061L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB708A | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB708AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。