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参数资料
| 型号： | NDC7001C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 510mA，340mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 510mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDC7001CDKR |
Typical Characteristics: N-Channel (continued)
10
60
8
I D = 0.51A
V DS = 25V
30V
50
f = 1MHz
V GS = 0 V
48V
40
6
30
4
2
0
20
10
0
C RSS
C OSS
C ISS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
10
20
30
40
50
60
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
1
R DS(ON) LIMIT
10μs
100μs
8
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
1ms
10ms
100ms
6
4
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 180 o C/W
DC
1s
2
T A = 25 o C
0.01
0
0.1
1 10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 180 °C/W
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDC7001C Rev B (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDC7002N_SB9G007 | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT |
| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
| NDD03N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
| NDD04N50Z-1G | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
| NDD05N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDC7001C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6 |
| NDC7001C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:50V COMP N/P 2/5 O SSOT6 |
| NDC7001C_Q | 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDC7002 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDC7002N | 功能描述:MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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