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参数资料
| 型号： | NDC7001C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 510mA，340mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 510mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDC7001CDKR |
Typical Characteristics: P-Channel
1
V GS = -10V
-4.5V
2.2
0.8
-6.0V
-4.0V
-3.5V
2
V GS = -3.0V
1.8
0.6
1.6
-3.5V
0.4
-3.0V
1.4
-4.0V
-4.5V
0.2
1.2
1
-6.0V
-10V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics.
1.8
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
5
1.6
I D = -0.34A
V GS = -10V
4
I D = -0.17A
1.4
1.2
1
0.8
3
2
T A = 25 o C
T A = 125 o C
1
0.6
0.4
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 13. On-Resistance Variation
withTemperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
10
V GS = 0V
0.8
0.6
0.4
0.2
125 o C
1
0.1
0.01
0.001
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0
1
2 3 4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
0.0001
0.2
0.4 0.6 0.8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
NDC7001C Rev B (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDC7002N_SB9G007 | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT |
| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
| NDD03N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
| NDD04N50Z-1G | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
| NDD05N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDC7001C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6 |
| NDC7001C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:50V COMP N/P 2/5 O SSOT6 |
| NDC7001C_Q | 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDC7002 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDC7002N | 功能描述:MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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