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参数资料
| 型号： | NDD02N60ZT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDD02N60ZT4GOSDKR |
NDF02N60Z, NDD02N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
4.0
4.0
3.5
3.0
7.0 V
3.5
3.0
V DS = 25 V
2.5
2.0
1.5
1.0
V GS = 10 V
6.5 V
6.0 V
2.5
2.0
1.5
1.0
T J = 25 ° C
0.5
0.0
0.0
5.5 V
5.0 V
5.0 10.0 15.0 20.0
25.0
0.5
0.0
3
T J = 150 ° C
T J = ? 55 ° C
4 5 6 7 8 9
10
6.00
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
5.25
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
5.75
5.50
5.25
5.00
4.75
4.50
4.25
4.00
I D = 1 A
T J = 25 ° C
5.00
4.75
4.50
4.25
4.00
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
3.75
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
3.75
0.0
0.3
0.5
0.8
1.0
1.3
1.5
1.8
2.0
2.3
2.5
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain
Current and Gate Voltage
2.50
2.25
2.00
I D = 1 A
V GS = 10 V
1.15
1.10
I D = 1 mA
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
1.05
1.00
0.95
0.25
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.90
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. BV DSS Variation with Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDD03N50Z-1G | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
| NTB25P06T4G | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
| NDF03N60ZG | MOSFET N-CH 600V 3.6OHM TO220FP |
| NDD02N60Z-1G | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| HT102/RP34L-SC1-212 | TOOL HAND CRIMP RP34L SERIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDD03N50Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 |
| NDD03N50Z-1G | 功能描述:MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N50ZT4G | 功能描述:MOSFET 500V 2.6A HVFET DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 |
| NDD03N60Z-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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