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参数资料
| 型号： | NDD02N60ZT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDD02N60ZT4GOSDKR |
NDF02N60Z, NDD02N60Z
10
50% (DUTY CYCLE)
1
20%
10%
5%
2%
0.1
1%
SINGLE PULSE
R q JC = 4.9 ° C/W
Steady State
0.01
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 16. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDF02N60Z
LEADS
HEATSINK
0.110 ″ MIN
Figure 17. Isolation Test Diagram
Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together.
*For additional mounting information, please download the ON Semiconductor
Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NDD03N50Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 |
| NDD03N50Z-1G | 功能描述:MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N50ZT4G | 功能描述:MOSFET 500V 2.6A HVFET DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD03N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 |
| NDD03N60Z-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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