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参数资料
| 型号： | NDF05N50ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V TO-220FP |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF05N50ZG-ND NDF05N50ZGOS |
NDF05N50Z, NDD05N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10.0
1200
1.0
T J = 150 ° C
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
200
100
0
0
C rss
5
C oss
10 15 20 25 30 35 40 45
50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
V DS
Q T
300
250
10.0
9.0
8.0
7.0
Q GS
Q GD
V GS
200
150
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
2
4
V DS = 250 V
I D = 5 A
T J = 25 ° C
6 8 10 12 14 16 18
100
50
0
20
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = 250 V
I D = 5 A
V GS = 10 V
t d(off)
100
10
10
t r
t f
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
1.0
1
10
100
0.1
0.3
? 55 ° C
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDD05N50Z-1G | MOSFET N-CH 500V 5A IPAK |
| SSF-LXH400GD | LED 5MM 4-WIDE GREEN PC MOUNT |
| NTMFS4846NT1G | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL |
| 76PGB06ST | SWITCH DIP PIANO SEALED 6POS AU |
| FQPF5N60C | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF05N50ZH | 功能描述:MOSFET NFET 500V 5A 1.2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF0610 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDF06N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NDP06N60Z |
| NDF06N60ZG | 功能描述:MOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF06N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 6A 980 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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