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参数资料
| 型号： | NDF05N50ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V TO-220FP |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF05N50ZG-ND NDF05N50ZGOS |
NDF05N50Z, NDD05N50Z
PACKAGE DIMENSIONS
TO ? 220 FULLPACK, 3 ? LEAD
CASE 221AH
ISSUE D
NOTES:
E/2
E
A
P
0.14
M
B A
M
H1
A
B
A1
SEATING
PLANE
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. CONTOUR UNCONTROLLED IN THIS AREA.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH
AND GATE PROTRUSIONS. MOLD FLASH AND GATE
PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.13 PER SIDE. THESE
DIMENSIONS ARE TO BE MEASURED AT OUTERMOST
Q
1 2 3
D
C
NOTE 3
EXTREME OF THE PLASTIC BODY.
5. DIMENSION b2 DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. LEAD WIDTH INCLUDING PROTRUSION
SHALL NOT EXCEED 2.00.
MILLIMETERS
DIM
MIN MAX
L
L1
A
A1
A2
4.30 4.70
2.50 2.90
2.50 2.70
3X
b2
e
3X
b
0.25
M
B A
M
C
c
A2
b
b2
c
D
E
e
0.54 0.84
1.10 1.40
0.49 0.79
14.70 15.30
9.70 10.30
2.54 BSC
http://onsemi.com
9
H1
L
L1
P
Q
6.70 7.10
12.70 14.73
--- 2.10
3.00 3.40
2.80 3.20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDD05N50Z-1G | MOSFET N-CH 500V 5A IPAK |
| SSF-LXH400GD | LED 5MM 4-WIDE GREEN PC MOUNT |
| NTMFS4846NT1G | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL |
| 76PGB06ST | SWITCH DIP PIANO SEALED 6POS AU |
| FQPF5N60C | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF05N50ZH | 功能描述:MOSFET NFET 500V 5A 1.2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF0610 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDF06N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NDP06N60Z |
| NDF06N60ZG | 功能描述:MOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF06N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 6A 980 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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