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参数资料
| 型号： | NDF06N60ZH |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 600V 7.1A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | * |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
NDF06N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
20
400
1500
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
15
QT
300
V DS
1000
500
C iss
C oss
10
5
Qgs
Qgd
V GS
200
100
0
0
C rss
50
100
150
200
0
0
5
10
15
20
25
T J = 25 ° C
I D = 6 A
30
0
35
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
6
100
V DD = 300 V
I D = 6 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
3
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
V GS ≤ 30 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
10 m s
dc
1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
0.01
0.1
1
Package Limit
10
100
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area for NDF06N60Z
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NDF08N50ZH | 功能描述:MOSFET NFET 500V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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