参数资料
型号: NDF06N60ZH
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 600V 7.1A TO220FP
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: *
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: *
功率 - 最大: 35W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FP
包装: 管件
NDF06N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
50% (DUTY CYCLE)
20%
1.0
0.1
10%
5.0%
2.0%
1.0%
0.01
SINGLE PULSE
R q JC = 3.6 ° C/W
Steady State
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
PULSE TIME (s)
Figure 12. Thermal Impedance for NDF06N60Z
LEADS
HEATSINK
0.110 ″ MIN
Figure 13. Mounting Position for Isolation Test
Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together.
*For additional mounting information, please download the ON Semiconductor
Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
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