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参数资料
| 型号： | NDF08N60ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 950 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF08N60ZG-ND NDF08N60ZGOS |
NDF08N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
T J = 150 ° C
2750
2500
2250
2000
1750
1500
C rss
C oss
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
1250
1
T J = 125 ° C
1000
750
500
250
0.1
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
0
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
Q GS
4
8
V DS
12
Q T
Q GD
16 20
24
28
V GS
V DS = 300 V
I D = 7.5 A
T J = 25 ° C
32 36
350
300
250
200
150
100
50
0
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
10.0
100
V DD = 300 V
I D = 7.5 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
T J = 150 ° C
10
t d(on)
1.0
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1
1
10
100
0.1
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDF08N60ZH | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220FP |
| NDF10N62ZG | MOSFET N-CH 620V .75OHM TO220FP |
| NDF11N50ZG | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP |
| NDF11N50ZH | MOSFET N CH 500V 12A TO220FP |
| NDFEB 6X10MM | MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF08N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF10N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 0.65 ?, 600 Volts |
| NDF10N60ZG | 功能描述:MOSFET NFET T0220FP 600V 10A .65 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF10N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF10N62Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 ? |
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