- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDF08N60ZG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDF08N60ZG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 950 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDF08N60ZG-ND NDF08N60ZGOS |
NDF08N60Z
100
10
V GS v 30 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 m s
10 ms
1
0.1
0.01
dc
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
1 10 100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
1000
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area NDF08N60Z
10
DUTY CYCLE = 0.5
1
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1E ? 06
0.01
SINGLE PULSE
1E ? 05 1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
R q JC = 3.5 ° C/W
Steady State
1E+02 1E+03
PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Impedance (Junction ? to ? Case) for NDF08N60Z
LEADS
HEATSINK
0.110 ″ MIN
Figure 14. Isolation Test Diagram
Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together.
*For additional mounting information, please download the ON Semiconductor
Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
ORDERING INFORMATION
Order Number
NDF08N60ZG
NDF08N60ZH
Package
TO ? 220FP
(Pb ? Free, Halogen ? Free)
TO ? 220FP
(Pb ? Free, Halogen ? Free)
http://onsemi.com
5
Shipping
50 Units / Rail
50 Units / Rail
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDF08N60ZH | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220FP |
| NDF10N62ZG | MOSFET N-CH 620V .75OHM TO220FP |
| NDF11N50ZG | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP |
| NDF11N50ZH | MOSFET N CH 500V 12A TO220FP |
| NDFEB 6X10MM | MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDF08N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF10N60Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 0.65 ?, 600 Volts |
| NDF10N60ZG | 功能描述:MOSFET NFET T0220FP 600V 10A .65 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF10N60ZH | 功能描述:MOSFET NFET 600V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDF10N62Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 ? |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。