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参数资料
| 型号： | NDS355AN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 195pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS355ANDKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate - Body Leakage, Forward
Gate - Body Leakage, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
T J =125°C
30
1
10
100
-100
V
μA
μA
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
1
1.6
2
V
T J =125°C
0.5
1.2
1.5
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 1.7 A
0.105
0.125
?
V GS = 10 V, I D = 1.9 A
T J =125°C
0.16
0.065
0.23
0.085
I D(ON)
g FS
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = 4.5 V, V DS = 5 V
V DS = 5 V, I D = 1.7 A
6
3.5
A
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 15 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
195
135
48
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 2)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn - On Delay Time
Turn - On Rise Time
Turn - Off Delay Time
Turn - Off Fall Time
Turn - On Delay Time
Turn - On Rise Time
Turn - Off Delay Time
Turn - Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 10 V, I D = 1 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 ?
V DD = 5 V, I D = 1 A,
V GS = 4.5 V, R GEN = 6 ?
V DS = 10 V, I D = 1.7 A,
V GS = 5 V
10
13
13
4
10
32
10
5
3.5
0.8
1.7
20
25
25
10
20
60
20
10
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
NDS355AN Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS355AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| NDS355AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 30V 1.7A ((NW)) 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 30V, 1.7A, SUPER SOT-3 |
| NDS355AN_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-Channel 30 V 0.085 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3 |
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| NDS355AN-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:N-Channel 30 V 0.085 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3 |
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