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参数资料
| 型号： | NDS355AN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 195pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS355ANDKR |
Typical Electrical Characteristics
10
V GS =10V
6.0
2
8
7.0
5.0
4.5
4.0
1.8
1.6
V GS = 3.5V
6
1.4
4
3.5
1.2
1
4.0
4.5
5.0
2
3.0
0.8
0.6
6.0
7
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.4
0
2
4
6
8
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
1.6
Figure 1. On-Region Characteristics .
2
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage .
1.4
1.2
1
I D = 1.6A
V GS = 4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 4.5 V
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.8
0.8
0.6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0
1
2
3
4
5
5
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
V DS = 5.0V
1.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature .
4
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
1
3
0.9
2
T = -55°C
J
0.8
1
25°C
125°C
0.7
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Transfer Characteristics .
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature .
NDS355AN Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS355N | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| NDS7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 |
| NDS8425 | MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC |
| NDS8434 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
| NDS8947 | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS355AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| NDS355AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 30V 1.7A ((NW)) 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 30V, 1.7A, SUPER SOT-3 |
| NDS355AN_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-Channel 30 V 0.085 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3 |
| NDS355AN_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel Logic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS355AN-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:N-Channel 30 V 0.085 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3 |
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