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参数资料
| 型号： | NDS8947 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 690pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS8947DKR |
Typical Electrical Characteristics
1.1
20
1.08
I D = -250μA
10
5
V GS = 0V
1.06
1.04
1
T J = 125°C
25°C
-55°C
1.02
0.1
1
0.98
0.01
0.96
0.94
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.001
0
0.4 0.8 1.2 1.6
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
2000
10
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature .
1000
C iss
8
6
I D = -4.0A
V DS = -5V
-20V
-10V
500
300
C oss
4
200
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
2
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0
0
5
10
15
20
25
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
12
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
9
6
3
V DS = -10V
T J = -55°C
25°C
125°C
0
0
-4
-8
-12
-16
-20
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
NDS8947.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NDS9945 | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS8947 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP LOGIC SO-8 |
| NDS8947_Q | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8958 | 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8958 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8 |
| NDS8958_Q | 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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