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参数资料
| 型号： | NDS8947 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 690pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS8947DKR |
Typical Thermal Characteristics
2.5
4.5
2
1.5
Total Power for Dual Operation
1a
Power for Single Operation
4
3.5
3
1b
1c
1a
1
1b
1c
4.5"x5" FR-4 Board
T A = 25 o C
2.5
4.5"x5" FR-4 Board
T A = 2 5 o C
Still Air
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in )
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in )
0.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8
Still Air
2
1
2
0
0.1 0.2 0.3 0.4
V G S = - 1 0 V
2
0.5
Figure 12. SO-8 Dual Package Maximum
Steady-State Power Dissipation versus
Copper Mounting Pad Area.
Figure 13. Maximum Steady- State Drain
Current versus Copper Mounting Pad
Area.
50
20
10
5
RD
S(O
N)
LIM
IT
10
1m
ms
100
s
us
θ J A
1
0.5
0.1
0.05
R
V GS = -10V
SINGLE PULSE
= See Note 1c
T A = 25°C
10
1s
10s
DC
0m
s
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
- V DS , DRAIN-SOURCE CURRENT (V)
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
1
0 .5
D = 0.5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = See Note 1c
0 .0 2
0 .0 1
0 .0 0 5
0.02
0.01
Single Pulse
P(pk)
t 1
T J - T A
t 2
= P * R θ JA (t)
0 .0 0 2
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0 .0 0 1
0 .0001
0 .001
0 .0 1
0 .1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve .
Note:
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
NDS8947.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS8947 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP LOGIC SO-8 |
| NDS8947_Q | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8958 | 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8958 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8 |
| NDS8958_Q | 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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