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参数资料
| 型号： | NDS9948 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 2.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 394pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS9948DKR |
January 2010
NDS9948
Dual 60V P-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
? –2.3 A, –60 V
R DS(ON) = 250 m ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 500 m ? @ V GS = –4.5 V
applications requiring a wide range of gate drive voltage
ratings (4.5V – 20V).
Applications
? Low gate charge (9nC typical)
? Fast switching speed
?
?
?
Power management
Load switch
Battery protection
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability
D D2
D D1
D D1
D D2
5
6
Q1
4
3
7
2
S2 S
S1 G
SO-8
Pin 1 SO-8
S
G2
S
G1
8
Q2
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–60
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–2.3
A
– Pulsed
–10
P D
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
2
1.6
1.0
0.9
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1c)
(Note 1)
78
135
40
° C/W
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
NDS9948
Device
NDS9948
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
NDS9948 Rev B 1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS9952A | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC |
| NDT014L | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| NDT014 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 |
| NDT2955 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
| NDT3055L | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS9948 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS9948_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| NDS9948_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 60V P-Channel PowerTrench??? MOSFET |
| NDS9948_Q | 功能描述:MOSFET Dual PCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9948-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDS Series Dual P-Channel 60 V 250 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
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