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参数资料
| 型号： | NDS9948 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 2.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 394pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS9948DKR |
Electrical Characteristics (cont.) T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ
Max
Units
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current
–1.7
A
V SD
Drain–Source Diode Forward
V GS = 0 V, I S = –1.7 A (Note 2)
–0.8
–1.2
V
Voltage
t rr
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I F = –2.3A,
25
nS
dI F /dt = 100A/ μ s
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
`
a)
78°C/W when
b)
125°C/W when
c)
135°C/W when
0.5in pad of 2
0.02 in pad of
mounted on a
2
oz copper
mounted on a
2
2 oz copper
mounted on a
minimum pad.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
NDS9948 Rev B 1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS9952A | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC |
| NDT014L | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| NDT014 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 |
| NDT2955 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
| NDT3055L | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS9948 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS9948_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| NDS9948_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 60V P-Channel PowerTrench??? MOSFET |
| NDS9948_Q | 功能描述:MOSFET Dual PCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9948-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDS Series Dual P-Channel 60 V 250 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
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