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参数资料
| 型号： | NDT2955 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 601pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDT2955DKR |
April 2002
NDT2955
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
This 60V P-Channel MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor’s high voltage Trench process.
It has been optimized for power management
plications.
Applications
? DC/DC converter
Features
? –2.5 A, –60 V. R DS(ON) = 300m ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 500m ? @ V GS = –4.5 V
? High density cell design for extremely low R DS(ON)
? High power and current handling capability in a widely
used surface mount package.
?
Power management
D
S
D
D
S
D
SOT-223
G
D
G
D
S
SOT-223 *
(J23Z)
G
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–60
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–2.5
A
– Pulsed
–15
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
3.0
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.3
1.1
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
42
12
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
NDT2955
Device
NDT2955
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
NDT2955 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT3055L | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| NDT3055 | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 |
| NDT451AN_J23Z | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223 |
| NDT452AP | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 |
| NDT454P | MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT2955(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223 |
| NDT2955 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223 RL |
| NDT2955 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-223 |
| NDT2955_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDT2955_F081 | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:NDT2955_F081 |
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