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参数资料
| 型号： | NDS9945 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 345pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NDS9945CT |
Typical Electrical Characteristics
20
V GS = 10V
6.0V
5.0V
2.5
2.25
V GS = 3.0V
15
4.5V
2
3.5 V
10
4.0V
1.75
4.0 V
5
3.5V
3.0V
1.5
1.25
1
4.5 V
5.0V
6.0V
10V
0
0
1
2
3
4
5
0.75
0
2
4
6
8
10
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2
1.8
1.6
I D = 3.5A
V GS = 10V
0.4
0.3
I D = 2A
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0.1
T A =125°C
T A =25°C
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
V
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance Variation With
Temperature.
Figure 4. On Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
8
V DS = 5V
T J = -55°C
25°C
125°C
10
5
3
V GS = 0V
TJ = 125°C
6
4
2
2
1
0.5
0.3
0.2
25°C
-55°C
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.1
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5 . Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
NDS9945 Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NDT014 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS9945 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET |
| NDS9945 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS9945_L86Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9947 | 功能描述:MOSFET Dual 20V P-Ch MOSFET Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9947_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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