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参数资料
| 型号： | NDS9945 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 345pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NDS9945CT |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1000
10
8
I D = 3.5A
V DS = 10V
30V
400
Cis s
6
4
40V
200
100
50
C oss
Crs s
2
20
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
10
0.1
0.3
1
3
10
20
50
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
N)
DS
LIM
100
1m
1 0 m
0m
10
3
1
R
(O
IT
10
s
s
s
us
40
30
SINGLE PULSE
R θ JA =135°C/W
T A = 25°C
T A = 25°C
0.3
0.1
0.03
V GS =10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
A
1s
1 0 s
DC
20
10
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area .
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.2
0.1
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 135 °C/W
0.05
0.02
0.01
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
P(pk)
t 1
t 2
0.005
0.002
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDS9945 Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS9948 | MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC |
| NDS9952A | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC |
| NDT014L | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
| NDT014 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 |
| NDT2955 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS9945 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET |
| NDS9945 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS9945_L86Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9947 | 功能描述:MOSFET Dual 20V P-Ch MOSFET Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS9947_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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