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参数资料
| 型号： | NDT451AN_J23Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics
25
20
V GS =10V
6.0 5.0
4.5
4.0
3
2.5
V GS = 3.0V
3.5
15
2
4.0
10
5
3.5
3.0
1.5
1
4.5
5.0
6.0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.5
0
5
10
15
20
25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
2
1.4
1.2
I D = 7.2A
V GS =10V
1.75
1.5
V GS = 10V
T J = 125°C
1.25
1
1
25°C
0.8
0.75
-55°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.5
0
5
10 15
I D , DRAIN CURRENT (A)
20
25
25
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
1.2
20
V DS = 10V
T J = -55°C
25°C
125°C
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
1
15
0.9
10
5
0.8
0.7
0
1
2
3 4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
6
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
NDT451AN Rev. D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT451N | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT451N_J23Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT452 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDT452AP | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT452AP(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
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