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参数资料
| 型号： | NDT451AN_J23Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics
1.1
25
I
D
= 250μA
10
V GS =0V
1.05
1
1
TJ = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.95
0.01
0.9
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
2000
10
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature .
1500
1000
8
I D = 7.2A
V DS = 5V
10V
20V
C iss
500
C oss
6
4
200
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
2
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
20
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
16
V DS = 10V
TJ = -55°C
25°C
12
8
4
125°C
0
0
5
10
15
20
25
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
NDT451AN Rev. D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT452AP | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT451N | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT451N_J23Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT452 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDT452AP | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT452AP(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
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