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参数资料
| 型号： | NDT451AN_J23Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Thermal Characteristics
3.5
8
3
1a
7
1a
2.5
6
2
T A = 2 5 C
T A = 2 5 C
1.5
1
0.5
0
1b
1c
4.5"x5" FR-4 Board
o
Still Air
0.2 0.4 0.6 0.8
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in 2 )
1
5
4
3
0
1b
1c
4.5"x5" FR-4 Board
o
Still Air
V G S = 1 0 V
0.2 0.4 0.6 0.8
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in 2 )
1
Figure 12. SOT-223 Maximum Steady-State
Power Dissipation versus Copper
Mounting Pad Area.
Figure 13. Maximum Steady-State Drain Current
versus Copper Mounting Pad Area.
LIM
N)
S(
10
DC
0m
30
10
5
1
0.5
0.2
0.1
RD
IT
O
V GS = 1 0 V
SINGLE PULSE
10
1s
s
10
s
1m
ms
s
10
0u
s
= See Note 1c
0.05
R
θ J A
T A = 25°C
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
1
0.5
D = 0.5
R JA = See Note 1 c
0.2
0.1
0.05
0.02
0.2
0.1
0.05
0.02
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
θ
0.01
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R (t)
0.005
0.002
Single Pulse
θ JA
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve .
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
NDT451AN Rev. D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT451N | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT451N_J23Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT452 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDT452AP | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDT452AP(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
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