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参数资料
| 型号： | NE34018-T1-63 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | NE34018-T1-63 |
Data Sheet P11618EJ4V0DS00
3
NE34018
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, TA = +25
°°°°C)
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
VGS = 0 V
120
100
80
60
40
20
0
12
34
5
Drain
Current
I
D
(mA)
Drain to Source Voltage VDS (V)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VDS = 2.0 V
100
80
60
40
20
0
–2.0
–1.0
0
Drain
Current
I
D
(mA)
Gate to Source Voltage VGS (V)
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
VDS = 2.0 V
f = 2 GHz
Ga
NF
1.0
0.8
0.9
0.7
0.5
0.6
0.4
0.3
18
16
14
12
13
15
17
11
010
20
30
Noise
Figure
NF
(dB)
Associated
Gain
G
a(dB)
Drain Current ID (mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. DRAIN CURRENT
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE6500179A | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| NEF0100151B0C | 1-OUTPUT 15 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
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| NES2427P-140 | 2 CHANNEL, S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| NES65A | 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE34018-TI-63-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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