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参数资料
| 型号： | NE34018-T1-63 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | NE34018-T1-63 |
Data Sheet P11618EJ4V0DS00
2
NE34018
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
VDS
2.0
3.0
V
Drain Current
ID
530
mA
Input Power
Pin
0dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
IGSO
VGS =
3.0 V
0.5
10
A
Saturated Drain Current
IDSS
VDS = 2.0 V, VGS = 0 V
30
120
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
VGS (off)
VDS = 2.0 V, ID = 100
A
0.2
0.8
2.0
V
Transconductance
gm
VDS = 2.0 V, ID = 5 mA
30
mS
Noise Figure
NF
VDS = 2.0 V, ID = 5 mA, f = 2 GHz
0.6
1.0
dB
Associated Gain
Ga
14
16
dB
Power Gain
GS
18
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VDS = 3.0 V, ID = 30 mA (RF off),
f = 2 GHz
15
dBm
IDSS CLASSIFICATION
Rank
IDSS (mA)
Marking
63
30 to 65
V63
64
60 to 120
V64
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE6500179A | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| NEF0100151B0C | 1-OUTPUT 15 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
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| NES2427P-140 | 2 CHANNEL, S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE34018-TI-63-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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