参数资料
| 型号： | NE5517DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NE5517DR2GOSCT |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
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ORDERING INFORMATION
Device
Temperature Range
Package
Shipping
AU5517DR2
40 to +125 °C
SOIC16
2500 Tape & Reel
AU5517DR2G
SOIC16
(PbFree)
NE5517D
0 to +70 °C
SOIC16
48 Units/Rail
NE5517DG
SOIC16
(PbFree)
NE5517DR2
SOIC16
2500 Tape & Reel
NE5517DR2G
SOIC16
(PbFree)
NE5517N
PDIP16
25 Units/Rail
NE5517NG
PDIP16
(PbFree)
NE5517AN
PDIP16
NE5517ANG
PDIP16
(PbFree)
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FWJ-18-01-T-S | CONN HEADER .156" 18POS SNGL TIN |
| 929648-01-36-I | CONN HEADER 36POS R/A .100" GOLD |
| CRCW04024R87FKED | RES 4.87 OHM 1/16W 1% 0402 SMD |
| SMS24CT1G | TVS ARRAY 5LINE 350W SC74-6 |
| NCV33274ADR2G | IC OPAMP QUAD HS BIPO 14-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5517D-T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
| NE5517N | 功能描述:跨导放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5517NG | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5520279A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520279A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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