参数资料
| 型号： | NE5517DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NE5517DR2GOSCT |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
3
NOTE: V+ of output buffers and amplifiers are internally connected.
B
AMP
BIAS
INPUT
B
DIODE
BIAS
B
INPUT
(+)
B
INPUT
()
B
OUTPUT
V+ (1)
B
BUFFER
INPUT
B
BUFFER
OUTPUT
AMP
BIAS
INPUT
DIODE
BIAS
INPUT
(+)
INPUT
()
OUTPUT
V
BUFFER
INPUT
BUFFER
OUTPUT
A
AA
A
123
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
+
B
+
A
Figure 2. Connection Diagram
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage (Note 1)
VS
44 VDC or ±22
V
NE5517N, NE5517AN
NE5517D, AU5517D
PD
1500
1125
mW
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
D Package
N Package
RqJA
140
94
°C/W
Differential Input Voltage
VIN
±5.0
V
Diode Bias Current
ID
2.0
mA
Amplifier Bias Current
IABC
2.0
mA
Output Short-Circuit Duration
ISC
Indefinite
Buffer Output Current (Note 3)
IOUT
20
mA
Operating Temperature Range
NE5517N, NE5517AN
AU5517T
Tamb
0 °C to +70 °C
40 °C to +125 °C
°C
Operating Junction Temperature
TJ
150
°C
DC Input Voltage
VDC
+VS to VS
Storage Temperature Range
Tstg
65 °C to +150 °C
°C
Lead Soldering Temperature (10 sec max)
Tsld
230
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. For selections to a supply voltage above ±22 V, contact factory.
2. The following derating factors should be applied above 25 °C
N package at 10.6 mW/°C
D package at 7.1 mW/°C.
3. Buffer output current should be limited so as to not exceed package dissipation.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FWJ-18-01-T-S | CONN HEADER .156" 18POS SNGL TIN |
| 929648-01-36-I | CONN HEADER 36POS R/A .100" GOLD |
| CRCW04024R87FKED | RES 4.87 OHM 1/16W 1% 0402 SMD |
| SMS24CT1G | TVS ARRAY 5LINE 350W SC74-6 |
| NCV33274ADR2G | IC OPAMP QUAD HS BIPO 14-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5517D-T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
| NE5517N | 功能描述:跨导放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5517NG | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5520279A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520279A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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