参数资料
| 型号： | NE5517DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NE5517DR2GOSCT |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
14
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC16
CASE 751B05
ISSUE K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION
SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
18
16
9
SEATING
PLANE
F
J
M
R X 45_
G
8 PL
P
B
A
M
0.25 (0.010)
B S
T
D
K
C
16 PL
S
B
M
0.25 (0.010)
A S
T
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
9.80
10.00
0.386
0.393
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.054
0.068
D
0.35
0.49
0.014
0.019
F
0.40
1.25
0.016
0.049
G
1.27 BSC
0.050 BSC
J
0.19
0.25
0.008
0.009
K
0.10
0.25
0.004
0.009
M
0
7
0
7
P
5.80
6.20
0.229
0.244
R
0.25
0.50
0.010
0.019
__
6.40
16X
0.58
16X
1.12
1.27
DIMENSIONS: MILLIMETERS
1
PITCH
SOLDERING FOOTPRINT
16
89
8X
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FWJ-18-01-T-S | CONN HEADER .156" 18POS SNGL TIN |
| 929648-01-36-I | CONN HEADER 36POS R/A .100" GOLD |
| CRCW04024R87FKED | RES 4.87 OHM 1/16W 1% 0402 SMD |
| SMS24CT1G | TVS ARRAY 5LINE 350W SC74-6 |
| NCV33274ADR2G | IC OPAMP QUAD HS BIPO 14-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5517D-T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
| NE5517N | 功能描述:跨导放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5517NG | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5520279A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520279A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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