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参数资料
| 型号： | NILMS4501NR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSF N-CH 9.5A 24V ESD 4-LLP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 电流感测 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-DFN |
| 供应商设备封装： | 4-PLLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NILMS4501N
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
6
V GS = 10 V
25
V GS = 10 V
3.6 V
3.2 V
5
4.5 V
3.0 V
2.6 V
20
4.6 V
4.0 V
3.0 V
4
2.8 V
15
3
2
2.4 V
10
2.8 V
2.6 V
1
2.2 V
5
2.4 V
0
0
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5 0.6 0.7
0.8 0.9
1
0
0
0.5
1 1.5
2.2 V
2
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On?Region Characteristics
20
V DS =10 V
0.024
0.022
V GS = 4.5 V
T J = 175 ° C
0.020
15
0.018
0.016
0.014
T J = 125 ° C
10
T J = 125 ° C
0.012
T J = 25 ° C
0.010
0.008
T J = ?55 ° C
5
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.006
0.004
0.002
0
0
0.4
0.8 1.2
1.6 2
2.4
2.8 3.2
3.6
4
0
0
5
10
15
20
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Transfer Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus
Drain Current and Temperature
0.018
0.016
0.014
V GS = 10 V
T J = 175 ° C
T J = 125 ° C
0.03
0.025
I D = 10 A
0.012
0.010
0.008
T J = 25 ° C
0.02
0.015
T J = 175 ° C
0.006
0.004
0.002
T J = ?55 ° C
0.01
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
5
10
15
20
0.005
2
3
5
5
6
7
8
9
10
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. On?Resistance versus
Drain Current and Temperature
http://onsemi.com
4
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. On?Resistance versus Gate Voltage
and Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABLS-9.8304MHZ-L4Q-T | CRYSTAL 9.830400 MHZ 18PF SMD |
| NTB18N06LG | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| ABLS-14.31818MHZ-L4Q-T | CRYSTAL 14.31818 MHZ 18PF SMD |
| NTB18N06L | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| NTB18N06G | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NILMS4501NR2G | 功能描述:MOSFET MI 9.5A 24V CURR MIR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIM2-434.075-10 | 制造商:RADIOMETRIX 制造商全称:RADIOMETRIX 功能描述:UHF Narrow Band Transceiver |
| NIM2-434.650-10 | 制造商:RADIOMETRIX 功能描述:TRANSCEIVER 434.65MHZ 制造商:RADIOMETRIX 功能描述:RF MOD, TXRX, FM, 434.65MHZ, 10KBPS |
| NIM2-434.65-10 | 制造商:RADIOMETRIX 制造商全称:RADIOMETRIX 功能描述:UHF Narrow Band Transceiver |
| NIM2R-434.075-10 | 制造商:RADIOMETRIX 制造商全称:RADIOMETRIX 功能描述:UHF Narrow Band Transceiver |
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