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参数资料
| 型号： | NP161N04TUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 345nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP161N04TUG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
300
250
200
150
100
50
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
10000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
imi )
L
V
S( o
i 0
R D =1
(V
Se
co
ar
is
pa
t io
Li
it e
=1
0 μ
1 i
1 i 0
s
s
ke
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n
it e
1000
100
10
1
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n)
GS
I D(DC)
Po
T C = 25 ° C
w
er
DC
D
si
I D(pulse)
nd
n
m
y
d
B
ra
PW
i 0
m
i
m
i
w
Li m
d
s
0.1
Single Pulse
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
R th(ch-A) = 83.3 ° C/W i
R th(ch-C) = 0.6 ° C/W i
0.1
Single Pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D19411EJ1V0DS
3
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