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参数资料
| 型号： | NP161N04TUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 345nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP161N04TUG
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263-7pin (MP-25ZT)
10.0 ± 0.2
8.4 TYP.
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
8
0.025 to 0.25
0.6 ± 0.15
1 2 3 4 5 6 7
10.0 ± 0.2
1.27 TYP.
0.5 ± 0.2
0 to 8 °
0.25
1. Gata
2, 3, 5, 6, 7. Source
4, 8. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Gate
Body
Diode
Source
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
6
Data Sheet D19411EJ1V0DS
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