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参数资料
| 型号： | NP161N04TUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 345nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP161N04TUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
3
V GS = 10 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
2.5
2
1.5
I D = 80 A
10000
C iss
C oss
1
0.5
0
Pulsed
1000
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
t f
40
35
V DD = 32 V
12
t d(off)
30
20 V
9
100
10
t d(on)
t r
25
20
15
8V
V GS
6
1
V DD = 20 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
10
5
0
V DS
I D = 160 A
Pulsed
3
0
0.1
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
1000
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
0V
1
10
0.1
0.01
Pulsed
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
1000
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19411EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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