参数资料
型号: NSR1020MW2T3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 84K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD-323
标准包装: 10,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 540mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 40µA @ 15V
电容@ Vr, F: 29pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NSR1020MW2T3G-ND
NSR1020MW2T3GOSTR
NSR1020MW2
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Total Capacitance (VR
= 5.0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
25
29
pF
Reverse Leakage (VR
= 15 V)
IR
?
?
40
Adc
Forward Voltage (IF
= 1 mAdc)
VF
?
?
0.20
Vdc
Forward Voltage (IF
= 10 mAdc)
VF
?
?
0.26
Vdc
Forward Voltage (IF
= 100 mAdc)
VF
?
?
0.33
Vdc
Forward Voltage (IF
= 500 mAdc)
VF
?
?
0.44
Vdc
Forward Voltage (IF
= 1000 mAdc)
VF
?
?
0.54
Vdc
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
1
10
100
1000
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Forward Voltage
1
0 5 10 15 20 25
10
100
1000
10000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 2. Leakage Current
IR, REVERSE CURRENT (
A)
150°C
85°C
?45°C
?55°C
25°C
150°C
85°C
25°C
125°C
0
0 5 10 15 20
20
40
60
80
100
120
140
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
CT, CAPACITANCE (pF)
Figure 3. Total Capacitance
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