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参数资料
| 型号： | NT5DS64M4AW-75B |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 256MB双数据速率SDRAM |
| 文件页数： | 43/78页 |
| 文件大小： | 1534K |
| 代理商： | NT5DS64M4AW-75B |
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NT5DS64M4AT NT5DS64M4AW
NT5DS32M8AT NT5DS32M8AW
256Mb Double Data Rate SDRAM
REV 1.1
12/2001
43
NANYA TECHNOLOGY CORP
. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Write to Precharge: Nominal DQSS (2 bit Write), Interrupting (Burst Length = 4 or 8)
DI a-b = Data In for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 2 data elements are written.
1 subsequent element of data in is applied in the programmed order following DI a-b.
t
WR
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Precharge command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
1 = Can be don't care for programmed burst length of 4.
2 = For programmed burst length of 4, DQS becomes don't care at this point.
3 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
PRE
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
RP
t
DQSS
(nom)
DI a-b
1
2
DQS
DQ
DM
1
t
WR
3
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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