- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录363669 > NT5DS64M4AW-75B (Electronic Theatre Controls, Inc.) 256Mb Double Data Rate SDRAM PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NT5DS64M4AW-75B |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 256MB双数据速率SDRAM |
| 文件页数： | 59/78页 |
| 文件大小： | 1534K |
| 代理商： | NT5DS64M4AW-75B |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页当前第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页
NT5DS64M4AT NT5DS64M4AW
NT5DS32M8AT NT5DS32M8AW
256Mb Double Data Rate SDRAM
REV 1.1
12/2001
59
NANYA TECHNOLOGY CORP
. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
t
IPW
Input pulse width
2.2
2.2
ns
2-4, 12
t
RPRE
Read preamble
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
t
CK
1-4
t
RPST
Read postamble
0.40
0.60
0.40
0.60
0.40
0.60
t
CK
1-4
t
RAS
Active to Precharge command
45
120,000
45
120,000
50
120,000
ns
1-4
t
RC
Active to Active/Auto-refresh command period
65
65
70
ns
1-4
t
RFC
Auto-refresh to Active/Auto-refresh
command period
75
75
80
ns
1-4
t
RCD
Active to Read or Write delay
20
20
20
ns
1-4
t
RAP
Active to Read Command with Autoprecharge
20
20
20
ns
1-4
t
RP
Precharge command period
20
20
20
ns
1-4
t
RRD
Active bank A to Active bank B command
15
15
15
ns
1-4
t
WR
Write recovery time
15
15
15
ns
1-4
t
DAL
Auto precharge write recovery
+ precharge time
(t
WR
/t
CK)
+
(t
RP
/t
CK)
(t
WR
/t
CK)
+
(t
RP
/t
CK)
(t
WR
/t
CK)
+
(t
RP
/t
CK)
t
CK
1-4,13
t
WTR
Internal write to read command delay
1
1
1
t
CK
1-4
t
XSNR
Exit self-refresh to non-read command
75
75
80
ns
1-4
t
XSRD
Exit self-refresh to read command
200
200
200
t
CK
1-4
t
REFI
Average Periodic Refresh Interval
7.8
7.8
7.8
μ
s
1-4, 8
Electrical Characteristics & AC Timing for DDR266/DDR200 - Absolute Specifications
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C
;
V
DDQ
= 2.5V
±
0.2V; V
DD
= 2.5V
±
0.2V, See AC Characteristics) (Part 2 of 2)
Symbol
Parameter
DDR266A
(-7K)
DDR266B
(-75B)
DDR200
(-8B)
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NT5DS64M4AW-7K | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS64M4AW-8B | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS32M8AW | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
| NT5DS32M8AW-6 | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
| NT5DS32M8AW-66 | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NT5DS64M4AW-7K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS64M4AW-8B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS64M4CS | 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS64M4CS-5T | 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS64M4CS-6K | 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。