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参数资料
| 型号： | NTA4151PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-323, SOT-416 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 350mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 156pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 301mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | SC-75，SOT-416 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTA4151PT1GOSDKR |
NTA4151P, NTE4151P
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
? 1.5 V
V GS = ? 1.75 V to ? 4.5 V
T J = 25 ° C
? 1.25 V
0.6
0.5
0.4
0.3
V DS w ? 10 V
0.2
0.1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
? 1.0 V
2.5
3.0
0.2
0.1
0
0
0.4
T J = 125 ° C
0.8
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
1.2 1.6
2.0
0.6
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = ? 4.5 V
0.6
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = ? 2.5 V
0.5
0.5
T J = 125 ° C
0.4
0.3
0.2
0.1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.4
0.3
0.2
0.1
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
1.6
1.4
I D = ? 0.35 A
V GS = ? 4.5 V
250
200
T J = 25 ° C
C ISS
1.2
1.0
150
100
0.8
50
C OSS
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
C RSS
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
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PDF描述 |
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参数描述 |
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