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参数资料
| 型号： | NTA4151PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-323, SOT-416 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 350mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 156pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 301mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | SC-75，SOT-416 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTA4151PT1GOSDKR |
NTA4151P, NTE4151P
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
5
4
Q T
0.7
0.6
V GS = 0 V
0.5
3
0.4
2
1
Q GS
Q GD
V DS = ? 10 V
I D = ? 0.3 A
T A = 25 ° C
0.3
0.2
0.1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.0
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
D = 0.5
0.2
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 9. Normalized Thermal Response
http://onsemi.com
4
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