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参数资料
| 型号： | NTB5405NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 116A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB5405N, NVB5405N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
7000
6000
5000
4000
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
C rss
T J = 25 ° C
12
10
8
6
V DS
QT
V GS
36
30
24
18
3000
C iss
4
Q GS
Q GD
12
2000
1000
0
10
V GS
0
V DS
C oss
C rss
10
20
30
40
2
0
0
10
I D = 40 A
T J = 25 ° C
20 30 40 50 60 70 80
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
6
0
90
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DS = 32 V
I D = 40 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
40
35
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
800
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10 ms
1 ms
100 m s
10 m s
700
600
I D = 40 A
10
V GS = 20 V
Single Pulse
dc
500
400
300
1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
200
100
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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