- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录486 > NTB5405NG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTB5405NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 116A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB5405N, NVB5405N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
t, TIME ( m s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB5411NT4G | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| NTB5412NT4G | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| NTB5426NT4G | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| NTB5605T4G | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| NTB6410ANG | MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB5405NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5411N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
| NTB5411NT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 60V 75A 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5412N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
| NTB5412NT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 60V 60A 14.0mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。